石英玻璃管在很多領域都有一定的作用。

改進的管內化學氣相沉積法（Modified Chemical Vapour Deposition，簡稱MCVD）是1974年由美國AT&T公司貝爾實驗室的Machesney等人開發的經典工藝。MCVD工藝為朗訊等公司所采用的方法。MCVD工藝是一種以氫氧焰熱源，發生在高純度石英玻璃管內進行的氣相沉積。MCVD工藝的化學反應機理為高溫氧化。MCVD工藝是由沉積和成棒兩個工藝步驟組成。沉積是獲得設計要求的光纖芯折射率分布，成棒是將已沉積好的空心高純石英玻璃管熔縮成一根實心的光纖預制棒芯棒。現MCVD工藝采用大直徑合成石英玻璃管和外包技術，例如用火焰水解外包和等離子外包技術來制作大預制棒。這些外包技術彌補了傳統的MCVD工藝沉積速率低、幾何尺寸精度差的缺點，提高了質量、降低了成本，增強了MCVD工藝的競爭力。

等離子體管內化學氣相沉積法（Plasma Chemical Vapour Deposition，簡稱PCVD）是1975年由荷蘭飛利浦公司的Koenings提出的微波工藝。PCVD與MCVD的工藝相似之處是，它們都是在高純石英玻璃管內進行氣相沉積和高溫氧化反應。所不同之處是熱源和反應機理，PCVD工藝用的熱源是微波，其反應機理為微波激活氣體產生等離子使反應氣體電離，電離的反應氣體呈帶電離子。帶電離子重新結合時釋放出的熱能熔化氣態反應物形成透明的石英玻璃沉積薄層。PCVD工藝制備芯棒的工藝有兩個具體步驟，即沉積和成棒。沉積是借助低壓等離子使流進高純石英玻璃沉積管內氣態鹵化物和氧氣在大約1000℃的高溫下直接沉積成設計要求的光纖芯玻璃組成。成棒則是將沉積好的石英玻璃管移至成棒用的玻璃車床上，利用氫氧焰高溫作用將該管熔縮成實心的光纖預制棒芯棒。PCVD工藝的新發展是采用大直徑合成石英玻璃管為沉積襯底管，沉積速率提高到了2～3g/min，沉積長度達到1.2～1.5m。

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